電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)
電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)可蒸鍍金屬薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜。如在半導(dǎo)體或融石英、微晶玻璃基片上蒸鍍MgF2等介質(zhì)薄膜，MgF2蒸發(fā)厚度為10-150nm，在10^4Pa高真空時鍍鋁的厚度為5-3000nm，膜層結(jié)合力良好，表面呈銀白色。蒸發(fā)速率穩(wěn)定。具有一定的小批量生產(chǎn)能力。設(shè)備運(yùn)行穩(wěn)定、可靠，能夠連續(xù)24小時工作。該設(shè)備所有零部件是全新產(chǎn)品，技術(shù)成熟，操作直觀簡便，設(shè)備易于維護(hù)和維修。
電阻蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)
PS-300M2高真空電阻蒸發(fā)鍍膜機(jī)配2組慈發(fā)源(可使用絲狀源與舟狀源)，兼容金屬材料蒸發(fā)與有機(jī)材料蒸發(fā)(有機(jī)材料蒸發(fā)使用鎢籃與坩堝組合的蒸發(fā)源)。該設(shè)備主機(jī)與控制一體化設(shè)計，操控方便;結(jié)構(gòu)緊湊，占地面積小。可用來制備金屬膜、有機(jī)膜及掃描電鏡制樣等。該系列設(shè)備廣泛應(yīng)用于高校、科研院所的教學(xué)、科研實(shí)驗以及生產(chǎn)型企業(yè)前期探索性實(shí)驗及開發(fā)新產(chǎn)品等。
磁控濺射鍍膜機(jī)
PS-200單靶磁控濺射鍍膜機(jī)主要由真空室、磁控靶、旋轉(zhuǎn)基片架、真空系統(tǒng)、機(jī)架、電器控制等幾大部分組成。可用來制備導(dǎo)電膜、金屬膜、介質(zhì)膜、半導(dǎo)體膜、絕緣膜、多層膜等。設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊，占地面積小適合高校實(shí)驗室及科研院所。
ALD原子層沉積設(shè)備
原子層沉積技術(shù)以精準(zhǔn)控制薄層厚度，均勻性，保型性而著稱，廣泛應(yīng)用于集成電路(IC)行業(yè)，它使得電子器件持續(xù)微型化成為可能，逐漸成為了微電子器件制造，半導(dǎo)體領(lǐng)域的必要技術(shù)。例如用于制備品體管柵堆垛、刻蝕終止層。
PS-CK500高真空多靶磁控濺射鍍膜機(jī)
CK500高真空多靶磁控濺射鍍膜機(jī)主要由鍍膜腔室(500xH430mm)，永磁圓形平面靶，真空系統(tǒng)，旋轉(zhuǎn)加熱基片臺，氣路系統(tǒng)，電氣控制及報警保護(hù)系統(tǒng)等組成。
